频率范围全面覆盖,满足多样化需求: • CMOS可编程晶振:1~200MHz宽广选择,为您的基础应用提供稳定可靠的支持。 • 可编程差分晶振:高达2100MHz的卓越性能,满足高速数据传输与信号处理的高标准要求。 • 可编程压控晶振:15~2100MHz灵活可调,适应复杂多变的频率控制需求。
在晶体的振荡电路中一般会设计两个电阻,一个是跨接在晶振两端,叫做反馈电阻Rf;一个接在IC的输出端,叫做限流电阻RD;同晶体相连旁接的电容称之为负载匹配电容,通过调整容值的大小可以改变振荡电路的频率,而这些波形频率测试就可以观察的到。
恒温晶振:利用恒温槽使晶体振荡器中石英晶体谐振器的温度保持恒定,将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到最小的晶体振荡器。 温补晶振:利用热敏电阻搭成温补网络,通过计算来补偿石英晶体温度频率曲线使其平滑,来实现在宽温度范围的频率稳定度。
差分晶振通过差分信号输出,在抗干扰、信号完整性、EMI抑制等方面有显著优势,能够提供更稳定、更高速性能的时钟信号。 因此差分晶振通常用于高速通信系统、光模块、高速串行接口(如PCIe、USB 3.x)等场景。
能源管理信息化综合平台方案 西部工控:18066760506(同微信) 一、平台概述 能源管理信息化综合平台旨在通过先进的信息技术手段,对企业能源相关数据进行全面采集、实时监控、智能
晶振在最低阶振动模式下产生的频率,也就是它的“主振动频率”。基频是晶振最基础、最主要的振动频率,其他振动模式(如泛音)都是基于基频的倍数或衍生。基频决定了晶振的核心工作频率。
LVPECL电平的差分摆幅较大(典型值约800mV),共模电压较高(约1.3V-1.9V),需外部端接电阻匹配;而LVDS差分摆幅较小(350mV),共模电压较低(约1.2V),且LVDS接收端内置端接电阻。
有源晶振外接电路有源晶振通常的用法:一脚悬空,二脚接地,三脚接输出,四脚接电压。有源晶振不需要MCU的内部振荡器,连接方式相对简单。
温补晶振(Temperature Compensated Crystal Oscillator,TCXO) 是一种通过温度补偿技术提升频率稳定性的晶体振荡器。其核心目标是抵消因环境温度变化导致的晶体谐振频率漂移,使输出频率更稳定。
晶振,即石英晶体振荡器,是电子设备中用于产生稳定振荡信号的元件。在光模块中,晶振的主要作用是提供高精度的时钟信号和频率控制,确保光模块在高速传输时保持稳定性和可靠性。晶振的性能直接影响光模块的传输速率、传输距离、功耗和体积等关键参数。
晶振的振荡本质上是一种机械振动(在压电晶体层面)。当两个晶振靠得很近时,它们的机械振动可能会相互影响。一个晶振的振动可能会通过电路板或者外壳等介质传递给另一个晶振,从而改变另一个晶振的振动特性。这种情况在一些对振动较为敏感的高精度测量仪器中尤为重要。
晶振的频率和振幅是两个独立的参数,它们之间没有直接的固定关系。但在实际应用中,它们会相互影响并共同决定晶振的性能和应用场景。因此,在选择晶振时,需要根据具体的应用需求来综合考虑这两个参数以及其他相关因素。
晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容,即晶振要正常振荡所需要的电容。一般外接电容,是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。
24MHz 无源晶振为 CPU、GPU、内存等组件提供统一的时钟基准,确保它们按照精确的节奏协同工作,使数据的传输、处理和存储能够有条不紊地进行。
晶振是一种频率元器件,广泛使用在电子产品中,例如监控设备、手机、吸尘器、智能穿戴等产品都会有晶振的存在。我们常见到的晶振有插件晶振,贴片晶振。
晶振切割工艺就是对晶体坐标轴某种角度去切割。切型有非常多的种类,因为石英是各向异性的,所以不同的切型其物理性质不同。切面的方向与主轴的夹角对其性能有着非常重要的影响,比如频率稳定性、Q值、温度性能等。
2024-08-18
2024-05-16
2024-05-16
2024-05-16
2024-05-14
2024-04-29